AOS公司的 25 V 和 30 V MOSFET 非常适合各种各样的降压型 DC/DC 转换解决方案

Alpha and Omega Semiconductor 的 25 V 和 30 V 高性能 MOSFET 图片这款 25 V 和 30 V MOSFET 采用 AOS 的专有沟槽式功率 MOSFET 技术来实现出色的低品质因数 (RDS(ON) x Qg)，以适应高速开关应用要求，如工作频率超过 600 kHz 的最新 DC/DC 转换器。 AON7536 通过将 Qg 和 Crss 降至最小来对高压侧开关进行优化，进而降低开关功率损耗。 与 AON7760 配对使用且输入为 12 V、输出为 1.8 V 时，AON7536 在 15 A 电流下的能效达到 90%。 这款 3 x 3 DFN 系列的品质因数相比前代产品提升了 20%。 尽管保持了相同的导通电阻，但 Qg 降低了 20%，从而能使器件在更高的开关频率下工作。 除了 DC/DC 应用，AON7510 在 10 V 下的 1.3 mΩ 超低 RDS(ON)（最大）是导通损耗关键型应用的理想器件，如高电流系统开关、负载开关或者电机驱动器。

特性 应用

4.5 V 时拥有超低 RDS(ON) (VGS)

低栅极电荷

高电流能力

25 V 和 30 V 器件

小基底面 (DFN 3 x 3)

个人计算机

游戏

服务器

电信/数据通信