AON6405

AON6405是AOS推出的一款高性能P沟道功率MOSFET，采用8-DFN（5x6）紧凑封装。其核心优势在于极低的导通电阻与栅极电荷，在10V Vgs条件下，Rds(on)低至7毫欧，Qg仅为105nC，这共同实现了极低的传导损耗与开关损耗，显著提升系统效率。

该器件额定漏源电压为30V，连续漏极电流在Tc条件下可达30A，最大功率耗散为83W（Tc），工作结温范围宽达-55°C至150°C。这些参数使其能够胜任大电流、高效率的功率开关任务，尤其适用于空间受限的便携式设备电源管理、DC-DC转换及负载开关等应用。

• 型号:AON6405
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 15A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Ta），30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.6V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:105 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5500 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），83W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
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