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AO6800

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分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor)
功能简述:MOSFET 2N-CH 30V 3.4A 6TSOP
原厂封装:封装:6-TSOP
优势价格,AO6800的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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AO6800的功能参数资料 - AOS公司(AOS)提供

AO6800是AOS公司生产的一款采用SOT-457封装的N沟道双MOSFET阵列。该器件集成了两个逻辑电平门驱动的MOSFET,其栅极阈值电压(Vgs(th))最大仅为1.5V,可直接由低电压微控制器驱动,简化了系统设计。

其核心电气参数突出高效与快速开关特性:在10V Vgs下,导通电阻(Rds(on))低至60毫欧(@3.4A),有效降低了导通损耗;同时,栅极电荷(Qg)低至10nC,输入电容(Ciss)为235pF,确保了快速的开关瞬态响应和低开关损耗。器件额定值为30V Vdss和3.4A连续漏极电流,工作温度范围覆盖-55°C至150°C,适用于高密度、高效率的电源管理场景。

  • 型号:AO6800
  • 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
  • 封装:6-TSOP
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2N-CH 30V 3.4A 6TSOP
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:不适用于新设计
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 配置:2 N-通道(双)
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.4A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):60 毫欧 @ 3.4A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):10nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):235pF @ 15V
  • 功率 - 最大值:1.15W
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SC-74,SOT-457
  • 供应商器件封装:6-TSOP
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