AOTF20N40L

AOTF20N40L是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3F通孔封装。该器件核心规格为400V漏源电压（Vdss）与20A连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的导通特性，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为250毫欧（@10A），能显著降低导通损耗，提升系统效率。同时，45nC（@10V）的最大栅极电荷（Qg）有利于实现快速开关，降低动态损耗。器件结温工作范围覆盖-55°C至150°C，确保了在各种环境下的高可靠性。

• 型号:AOTF20N40L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220F
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 400V 20A TO220-3F
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:400 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2290 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220F
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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