AOTF20C60

AOTF20C60是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3F通孔封装。该器件核心规格为600V漏源电压（Vdss）与20A连续漏极电流（Id），具备高压大电流处理能力。

其关键性能优势在于较低的导通电阻，在10V栅极驱动、10A电流条件下，Rds(on)最大值仅为250毫欧，这有助于降低导通损耗，提升电源转换或电机驱动系统的效率。器件栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）参数定义了其开关特性，适用于需要快速开关的功率拓扑。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在恶劣环境下的可靠性。

• 型号:AOTF20C60
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220F
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3F
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:74 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3500 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220F
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 想获取AOTF20C60的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料