AON6452L

AON6452L是AOS公司推出的一款N沟道MOSFET，隶属于其SDMOS产品系列。该器件采用8-DFN-EP封装，核心特性包括100V的漏源电压（Vdss）额定值，以及在10V Vgs下低至25毫欧（@20A）的最大导通电阻，这有助于显著降低导通损耗，提升能效。

其电气参数支持高效的功率处理，连续漏极电流在管壳温度（Tc）条件下可达26A，最大栅极电荷（Qg）为34nC，有利于实现快速开关。器件设计工作在-55°C至150°C的宽结温范围，并具备35W（Tc）的最大功率耗散能力，适用于对可靠性和热管理有较高要求的电源转换与电机控制应用。

• 型号:AON6452L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 6.5A/26A 8DFN
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A（Ta），26A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:7V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta），35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
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