AON6298

AON6298 是一款采用 8-DFN 封装的 N 沟道 MOSFET，由 AOS 公司生产。其核心电气规格包括 100V 的漏源击穿电压和低至 16.5 毫欧（@10V，20A）的导通电阻，这为功率转换应用提供了高效能的基础。

该器件在壳温下可支持高达 46A 的连续漏极电流，并具备 23nC 的低栅极电荷，有助于降低开关损耗并提升系统工作频率。其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 150°C）和 78W（Tc）的功率耗散能力，确保了在 demanding 应用环境中的可靠性与鲁棒性。

• 型号:AON6298
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 14.5A/46A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14.5A（Ta），46A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:23 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1307 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:7.4W（Ta），78W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
• 想获取AON6298的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料