AON6280

AON6280是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN（5x6）表面贴装封装。其核心优势在于80V的漏源电压（Vdss）耐受能力和极低的导通电阻，在10V Vgs、20A Id条件下，Rds(on)最大值仅为4.1毫欧，这有效降低了传导损耗。

该器件具备出色的电流处理能力，在25°C环境温度下连续漏极电流为17A，并支持高达85A（Tc）的电流。其低栅极电荷（Qg最大值82nC @ 10V）确保了快速的开关速度，适用于高频开关电源设计。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）和高达83W（Tc）的功率耗散能力，使其能够在要求严苛的工业与计算应用中稳定运行。

• 型号:AON6280
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 17A/85A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Ta），85A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.1 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:82 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3930 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:7.3W（Ta），83W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
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