AON6202

AON6202是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN封装，专为高效能、高密度电源应用而优化。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs下仅5.5毫欧（@20A），能显著降低导通损耗，提升系统整体效率。

器件支持30V的漏源电压，连续漏极电流在Tc条件下可达24A，并具备33nC的低栅极电荷，有利于实现高速开关并简化驱动设计。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）与紧凑的封装形式，使其成为空间受限且对热性能有要求的DC-DC转换、同步整流及负载开关等应用的理想选择。

• 型号:AON6202
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 21A/24A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Ta），24A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4.2W（Ta），35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
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