AON5820

AON5820是AOS公司推出的一款高性能双N沟道共漏极MOSFET阵列，采用6-DFN表面贴装封装。该器件专为高效率、高密度功率转换应用而设计，其核心卖点在于极低的导通损耗和优异的开关性能。

在4.5V栅极驱动下，其最大导通电阻仅为9.5毫欧，可支持高达10A的连续漏极电流，显著降低了功率路径上的传导损耗。同时，其逻辑电平门控特性（Vgs(th) ≤ 1V）和极低的栅极电荷（Qg(max)=15nC），使其能够被低压微控制器直接、快速地驱动，并实现高频开关操作，从而优化整体系统效率与动态响应。

该器件具备20V的漏源耐压和-55°C至150°C的宽工作结温范围，结合紧凑的封装形式，非常适用于空间受限且要求高可靠性的应用，如同步整流、负载开关、电机驱动及各类便携式设备的电源管理模块。

• 型号:AON5820
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:6-DFN-EP（2x5）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 10A 6DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）共漏
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 10A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1510pF @ 10V
• 功率 - 最大值:1.7W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-WFDFN 焊盘
• 供应商器件封装:6-DFN-EP（2x5）
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