AON1605_001

AON1605_001是AOS公司生产的一款P沟道增强型MOSFET，采用3-DFN紧凑型封装，专为低压、高效率的开关应用而优化。

该器件额定漏源电压（Vdss）为20V，连续漏极电流（Id）达700mA。其核心优势在于优异的开关性能组合：在4.5V驱动电压下，导通电阻（Rds(On)）低至710毫欧，有助于最小化传导损耗；同时，其栅极电荷（Qg）仅为750nC，输入电容（Ciss）为50pF，共同确保了快速的开关速度和较低的驱动需求。其1.1V的最大阈值电压使其能兼容低电压逻辑控制。

综合其参数特性，AON1605_001非常适合用于便携式设备、电池管理系统及DC-DC转换器等需要高效电源切换和管理的场景。请注意，该产品目前已停产。

• 制造商产品型号：AON1605_001
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 20V 700MA 3DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：20V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：700mA（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.5V，4.5V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：710 毫欧 @ 400mA，4.5V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：750nC @ 4.5V
• Vgs（最大值）：±8V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：50pF @ 10V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：900mW（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：3-DFN（1.0 x 0.60）
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