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AOI296A

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分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor)
功能简述:MOSFET N-CH 100V 70A TO251A
原厂封装:封装:TO-251A
优势价格,AOI296A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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AOI296A的功能参数资料 - AOS公司(AOS)提供

AOI296A是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET,采用TO-251A表面贴装封装。该器件核心优势在于其100V的漏源耐压高达70A的连续漏极电流处理能力,能够胜任中高功率级别的开关任务。

其技术亮点包括极低的导通电阻(典型值8.3毫欧 @ 10V),这能有效降低传导损耗,提升系统整体效率。同时,其栅极电荷(Qg)较低,有利于实现快速开关并减少驱动损耗。该器件工作结温范围宽达-55°C至150°C,确保了在各种环境条件下的稳定性和可靠性。

  • 型号:AOI296A
  • 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
  • 封装:TO-251A
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 70A TO251A
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:不适用于新设计
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):8.3 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):60 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):3130 pF @ 50 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):89W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-251A
  • 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPAK
  • 想获取AOI296A的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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