AOI2210

AOI2210是一款由AOS制造的N沟道功率MOSFET，采用TO-251A通孔封装。其核心特性包括200V的漏源电压（Vdss）和低至105毫欧（@10V，18A）的导通电阻，这为高压开关应用提供了高效的功率处理能力和较低的通态损耗。

该器件具备良好的开关特性，最大栅极电荷（Qg）仅为40nC，有利于实现快速开关并降低驱动损耗。其宽泛的结温工作范围（-55°C至175°C）以及高达100W（Tc）的功率耗散能力，确保了其在 demanding 环境下的可靠性。这些参数使其非常适用于AC-DC电源转换、电机驱动等中小功率领域。

• 型号:AOI2210
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-251A
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 3A/18A TO251A
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Ta），18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:105 毫欧 @ 18A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2065 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251A
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK
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