AOD607

AOD607是一款由AOS制造的N沟道与P沟道互补型功率MOSFET阵列，采用TO-252（DPak）表面贴装封装。该器件集成了两个独立的MOSFET，漏源电压（Vdss）为30V，在结温条件下连续漏极电流（Id）可达12A，适用于中等功率的开关应用。

其核心优势在于较低的导通损耗与开关损耗。在10V Vgs和12A Id条件下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为25毫欧，有助于提升系统效率。同时，最大栅极电荷（Qg）为25nC，最大输入电容（Ciss）为1250pF，表明其驱动需求相对简单，有利于实现快速的开关速度并降低驱动电路复杂度。器件工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在恶劣环境下的可靠性。

• 型号:AOD607
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-252-4L
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 30V 12A TO252-4L
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道互补型
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250pF @ 15V
• 功率 - 最大值:2.1W
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab)
• 供应商器件封装:TO-252-4L
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