AOD421_001

AOD421_001是AOS公司推出的一款采用表面贴装TO-252封装的P沟道功率MOSFET。该器件设计用于处理20V的漏源电压，并在25°C下支持高达12.5A的连续漏极电流，其核心优势在于较低的导通电阻（最大75mΩ @ 12.5A, 10V），这能有效减少功率损耗，提升整体能效。

该MOSFET具备快速的开关特性，其最大栅极电荷仅为4.6nC，有助于实现高效率的功率转换。宽泛的工作结温范围（-55°C 至 175°C）与良好的热性能（壳温下最大功耗18.8W）确保了其在各种环境条件下的可靠性与稳定性，适用于要求紧凑布局和高性能的电源管理应用。

• 制造商产品型号：AOD421_001
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 20V 12.5A TO252
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：20V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：12.5A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4.5V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：75 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：4.6nC @ 4.5V
• Vgs（最大值）：±12V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：620pF @ 10V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2W（Ta），18.8W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-252，（D-Pak）
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