AOD360A70

AOD360A70是一款采用aMOS5技术的N沟道功率MOSFET，其主要规格为700V漏源电压和12A连续漏极电流。该器件的核心优势在于其优异的导通性能，在10V Vgs、6A Id条件下，导通电阻典型值低至360毫欧，有助于显著降低导通状态下的功率损耗。

同时，其栅极电荷最大值仅为22.5nC，较低的开关损耗特性使其适合高频开关应用。器件采用TO-252（DPAK）封装，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，为开关电源、电机驱动等工业级应用提供了高可靠性和高功率密度的解决方案。

• 型号:AOD360A70
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 700V 12A TO252
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:360 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1360 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:138W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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