AOCA24106E

AOCA24106E是AOS公司生产的一款有源、表面贴装型低压N沟道MOSFET阵列。该器件集成了两个采用共漏极连接的标准N沟道MOSFET，封装于超紧凑的6引脚DFN（1.9mm x 1.6mm）中，专为高密度PCB设计优化。

其核心电气参数定义了出色的性能表现：12V的漏源电压（Vdss）与20A（Ta）的连续漏极电流处理能力，结合低至5.6毫欧（@4A, 4.5V）的导通电阻，确保了高效的电能传输与低导通损耗。同时，1.1V（@250A）的最大栅极阈值电压和18nC（@4.5V）的最大栅极电荷，共同保障了快速、高效的开关特性。

该器件工作结温范围宽广（-55°C ~ 150°C），功耗最大2.7W（Ta），这些特性使其成为空间受限、对效率和可靠性有严苛要求的负载开关、电源管理和DC-DC转换应用的理想选择。

• 型号:AOCA24106E
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:6-AlphaDFN（1.9x1.6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 12V 20A 6DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）共漏
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:12V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.6 毫欧 @ 4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• 功率 - 最大值:2.7W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-SMD，无引线
• 供应商器件封装:6-AlphaDFN（1.9x1.6）
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