AO4806

AO4806是AOS推出的一款采用8-SOIC封装的双N沟道功率MOSFET阵列。该器件集成了两个逻辑电平门驱动的MOSFET，其栅极阈值电压最大仅为1V，可直接由低压微控制器驱动，简化了系统设计。

其核心电气优势在于极低的功率损耗，在10V Vgs和9.4A Id条件下，导通电阻低至14毫欧，同时最大栅极电荷仅为17.9nC，确保了高效率与快速的开关性能。器件额定漏源电压为20V，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于要求高可靠性与高功率密度的应用。

• 型号:AO4806
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14 毫欧 @ 9.4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17.9nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1810pF @ 10V
• 功率 - 最大值:2W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
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