AO4411L

AO4411L是AOS公司生产的一款P沟道功率MOSFET，采用8-SO表面贴装封装。其核心电气参数包括30V的漏源击穿电压（Vdss）以及在环境温度下8A的连续漏极电流（Id）能力。

该器件的关键优势在于其优异的导通性能，在10V Vgs、8A Id条件下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为32毫欧，有助于显著降低导通损耗。其栅极驱动设计友好，阈值电压（Vgs(th)）最大2.4V，标准驱动电压范围为4.5V至10V，可兼容常见的低压逻辑控制信号。此外，较低的栅极电荷（Qg，最大值16nC @ 10V）有利于实现高效的开关操作。

• 型号:AO4411L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:32 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:760 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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