AO3416L

AO3416L是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用SOT-23-3封装，专为高密度、高效率的电源管理应用而优化。其核心优势在于极低的导通电阻与强大的电流处理能力，在4.5V栅极驱动下，6.5A电流对应的Rds(on)最大值仅为22毫欧，能显著降低导通损耗，提升系统能效。

该器件具备优异的栅极驱动特性，栅极阈值电压最大值低至1V，且在1.8V低驱动电压下即可有效工作，使其能够无缝对接现代低压微控制器，简化驱动电路设计。其20V的漏源电压额定值和6.5A的连续漏极电流能力，使其成为12V及以下低压、大电流开关应用的理想选择，广泛应用于便携式设备的DC-DC转换、负载开关及电源路径管理等场景。

• 型号:AO3416L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22 毫欧 @ 6.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1160 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:3-SMD，SOT-23-3 变式
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